【西门康SEMIKRON】全新可控硅模块SKKT500/16E SKKT570/16E

可控硅参数符号说明

IT(AV)--通态平均电流

VRRM--反向重复峰值电压

IDRM--断态重复峰值电流

ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流

VTM--通态峰值电压

IGT--门极触发电流

VGT--门极触发电压

IH--维持电流

dv/dt--断态电压临界上升率

di/dt--通态电流临界上升率

Rthjc--结壳热阻

VISO--模块绝缘电压

Tjm--额定结温

VDRM--通态重复峰值电压

IRRM--反向重复峰值电流

IF(AV)--正向平均电流

晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降 VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。

　　(一)晶闸管正向转折电压VBO
　　　　晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、输由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
　　(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM
　　　　断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间非常大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
　　(三)晶闸管通态平均电流IT
　　　　通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。

    (四)反向击穿电压VBR　

      反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
　　(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM
　　　　反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的非常大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
　　(六)晶闸管正向平均电压降VF
　　　　正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
　　(七)晶闸管门极触发电压VGT
　　　　门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的非常小门极直流电压，一般为1.5V左右。
　　(八)晶闸管门极触发电流IGT
　　　　门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的非常小门极直流电流。
　　(九)晶闸管门极反向电压　　
　　门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。
　　(十)晶闸管维持电流IH
　　　　维持电流IH是指维持晶闸管导通的非常小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。
　　(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR
　　　　断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向非常大平均漏电电流值，一般小于100μA

　　(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM
　　　　反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向非常大漏电电流值，一般小于100μA。